Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZV55B6V2 L0G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B9V1 L1G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C33 L0G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B10 L1G

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B33 L1G

Teilbestand: 157

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C6V8 L0G

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C27 RFG

Teilbestand: 202

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7S RRG

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 18µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62 RHG

Teilbestand: 224

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 215 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C36 RFG

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3S RRG

Teilbestand: 238

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C5V1 RFG

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16-G RHG

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75 RHG

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 255 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36-G RHG

Teilbestand: 245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36S RRG

Teilbestand: 215

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75S RRG

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 255 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C13 RFG

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B10S RRG

Teilbestand: 254

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 180nA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V2S RRG

Teilbestand: 190

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43-G RHG

Teilbestand: 222

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5S RRG

Teilbestand: 189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7-G RHG

Teilbestand: 235

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C20 RFG

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7S RRG

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6S RRG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11S RRG

Teilbestand: 229

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68 RHG

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 240 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30K RKG

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V8 RSG

Teilbestand: 237

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V6 RFG

Teilbestand: 190

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11-G RHG

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3K RKG

Teilbestand: 243

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56S RRG

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 39.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V9S RRG

Teilbestand: 222

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11 RHG

Teilbestand: 191

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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