Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZV55C68 L0G

Teilbestand: 242

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 160 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C9V1 L1G

Teilbestand: 156

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B51 L0G

Teilbestand: 250

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 38V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C3V0 L1G

Teilbestand: 165

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C36 R0G

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 25V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C11 L1G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C13 L0G

Teilbestand: 242

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C3V9 R0G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B18 L0G

Teilbestand: 159

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C27 L1G

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C62 L1G

Teilbestand: 252

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C6V8 R0G

Teilbestand: 226

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 3.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V9 L1G

Teilbestand: 236

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C22 L1G

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B51 L1G

Teilbestand: 252

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 38V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C5V1 L1G

Teilbestand: 246

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C3V9 L1G

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C8V2 L0G

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C5V6 R0G

Teilbestand: 239

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B11 L1G

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C47 L0G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 35V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B4V7 L1G

Teilbestand: 202

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C13 L1G

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B5V1 L1G

Teilbestand: 238

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B43 L1G

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C12 R0G

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 9 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C18 L1G

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C16 L1G

Teilbestand: 201

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C9V1 L1G

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C11 R0G

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C68 L1G

Teilbestand: 217

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 160 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B2V7 L1G

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C10 R0G

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C24 L1G

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C56 R0G

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 39V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B16 L1G

Teilbestand: 162

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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