Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZV55B8V2 L1G

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B33 L0G

Teilbestand: 160

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B2V4 L1G

Teilbestand: 203

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B11 L1G

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C15 L1G

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C3V0 L1G

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C5V1 L1G

Teilbestand: 189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C2V4 L0G

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B68 L0G

Teilbestand: 227

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 160 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C47 L1G

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 35V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B5V6 L1G

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B24 L0G

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B18 L1G

Teilbestand: 207

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C43 L1G

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B30 L0G

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C47 L1G

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 35V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C22 L1G

Teilbestand: 161

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B13 L1G

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B16 L0G

Teilbestand: 194

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C12 L1G

Teilbestand: 251

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B22 L1G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B68 L1G

Teilbestand: 155

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 160 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C20 L1G

Teilbestand: 219

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C39 L1G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 28V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C22 R0G

Teilbestand: 226

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C12 L1G

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C39 L1G

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 28V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B75 L0G

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C6V2 L1G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B7V5 L1G

Teilbestand: 159

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C4V3 L1G

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B47 L0G

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 35V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C75 L1G

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C27 R0G

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C9V1 R0G

Teilbestand: 241

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 6.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C43 R0G

Teilbestand: 240

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 30V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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