Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

Teilbestand: 117530

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.6ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

Teilbestand: 116

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

Teilbestand: 131

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

Teilbestand: 111

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

Teilbestand: 161

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

Teilbestand: 176168

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

Teilbestand: 156192

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

Teilbestand: 201

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

Teilbestand: 122602

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 300mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

Teilbestand: 2303

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

Teilbestand: 1533

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

Teilbestand: 154898

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

Teilbestand: 152629

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

Teilbestand: 136052

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

Teilbestand: 175794

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

Teilbestand: 1558

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

Teilbestand: 146552

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

Teilbestand: 180671

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

Teilbestand: 113319

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

Teilbestand: 108515

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

Teilbestand: 21577

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

Teilbestand: 106441

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

Teilbestand: 119305

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

Teilbestand: 129010

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

Teilbestand: 138564

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.6ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

Teilbestand: 174948

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 300mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

Teilbestand: 106991

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

Teilbestand: 126326

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

Teilbestand: 172900

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

Teilbestand: 154455

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

Teilbestand: 8357

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

Teilbestand: 8339

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

Teilbestand: 8339

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

Teilbestand: 6216

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

Teilbestand: 176414

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

Teilbestand: 162705

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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