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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 117

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

Teilbestand: 100

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 88

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

Teilbestand: 166057

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 177271

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

Teilbestand: 79

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 163

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 194437

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 185173

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 157727

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

Teilbestand: 160805

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

Teilbestand: 142

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 160837

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 187277

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

Teilbestand: 192

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 104522

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

Teilbestand: 152

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

Teilbestand: 178640

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

Teilbestand: 160204

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

Teilbestand: 5730

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 236

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 113027

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

Teilbestand: 200

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 182845

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 177

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

Teilbestand: 158

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 162

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 175

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 154

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 159

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 168712

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 153282

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 171

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

Teilbestand: 187

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 184

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 172

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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