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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

Teilbestand: 1645

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

Teilbestand: 131336

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CLS01(TE16L,PAS,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Teilbestand: 1424

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 0.47V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSF01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

Teilbestand: 1267

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CLS01(T6LSONY,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

Teilbestand: 1440

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 0.47V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH05(T6L,NKOD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Teilbestand: 1359

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 0.98V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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CLH03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

Teilbestand: 1368

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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CMS03(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

Teilbestand: 1091

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

Teilbestand: 1170

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

Teilbestand: 1121

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

Teilbestand: 852

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 101221

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 779

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 186793

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

Teilbestand: 9971

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

Teilbestand: 186045

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 161979

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

Teilbestand: 122216

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 215mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

Teilbestand: 168808

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

Teilbestand: 784

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

Teilbestand: 171031

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

Teilbestand: 142010

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 140mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5ns,

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CMS09(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

Teilbestand: 262

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

Teilbestand: 173

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS02(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

Teilbestand: 183

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS04(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

Teilbestand: 211

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS11(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

Teilbestand: 213

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

Teilbestand: 196

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

Teilbestand: 264

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

Teilbestand: 5028

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

Teilbestand: 200

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

Teilbestand: 264

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS01(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

Teilbestand: 178

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

Teilbestand: 129014

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

Teilbestand: 124325

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

Teilbestand: 143420

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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