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Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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TLP293(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GB-TPL,E

Teilbestand: 175302

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP785(BL,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(BL,F)

Teilbestand: 135660

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP291-4(GB,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(GB,E)

Teilbestand: 70479

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP291(GB,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GB,SE

Teilbestand: 155856

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP290(BL-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(BL-TP,SE

Teilbestand: 119013

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP182(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(GB-TPL,E

Teilbestand: 121142

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP293(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BL-TPL,E

Teilbestand: 173911

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP293-4(MBGBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(MBGBTPE

Teilbestand: 160431

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP185(GRL-TL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GRL-TL,SE

Teilbestand: 161155

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP184(GB-TPL,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB-TPL,E)

Teilbestand: 158238

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 9µs, 9µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 5µs, 9µs,

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TLP187(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP187(TPL,E

Teilbestand: 152142

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 1000% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 50µs, 15µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 40µs, 15µs,

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TLP372(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP372(F)

Teilbestand: 70465

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 1000% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 50µs, 15µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 40µs, 15µs,

Wunschzettel
TLP293-4(LGBTR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGBTR,E

Teilbestand: 160523

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP2309(TPL,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2309(TPL,E)

Teilbestand: 196695

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 15% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 1µs, 1µs (Max),

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TLP719(TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP719(TP,F)

Teilbestand: 106547

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 800ns, 800ns (Max),

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TLP109(TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(TPR,E)

Teilbestand: 156505

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 800ns, 800ns (Max),

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TLP620-2(GBTP1,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620-2(GBTP1,F,T)

Teilbestand: 4238

Anzahl der Kanäle: 2, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP190B(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP190B(TPR,U,C,F)

Teilbestand: 68321

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 200µs, 1ms,

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TLP184(TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(TPR,E)

Teilbestand: 143028

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 9µs, 9µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 5µs, 9µs,

Wunschzettel
TLP183(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GB-TPL,E

Teilbestand: 190760

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP388(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(TPL,E

Teilbestand: 16273

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP2531(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2531(F)

Teilbestand: 45851

Anzahl der Kanäle: 2, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 19% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 200ns, 300ns,

Wunschzettel
TLP185(GB-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPR,E)

Teilbestand: 115017

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 9µs, 9µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 5µs, 9µs,

Wunschzettel
TLP293-4(V4GBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4GBTPE

Teilbestand: 160459

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP185(GR-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR-TPR,E)

Teilbestand: 178815

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 9µs, 9µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 5µs, 9µs,

Wunschzettel
TLP383(D4BLLTL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP383(D4BLLTL,E

Teilbestand: 188187

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP293-4(V4GBTRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4GBTRE

Teilbestand: 160485

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP2301(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2301(TPL,E

Teilbestand: 190122

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 1mA,

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TLP291(BL-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(BL-TP,SE

Teilbestand: 185896

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP291-4(GB-TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(GB-TP,E)

Teilbestand: 111606

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel
TLP185(GB-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPL,SE

Teilbestand: 124559

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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