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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

Teilbestand: 176347

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Leistung max: 400mW,

Wunschzettel.
15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

Teilbestand: 194654

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

Teilbestand: 129846

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 1.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

Teilbestand: 145975

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz ~ 12.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

Teilbestand: 102087

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

Teilbestand: 149544

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

Teilbestand: 107074

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 1.3W,

Wunschzettel.
10A060
Microsemi Corporation

10A060

Teilbestand: 605

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 8.5dB, Leistung max: 21W,

Wunschzettel.
2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

Teilbestand: 2413

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2A8
Microsemi Corporation

2A8

Teilbestand: 697

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 21V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 9dB, Leistung max: 5.3W,

Wunschzettel.
23A025
Microsemi Corporation

23A025

Teilbestand: 549

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 3.7GHz, Dazugewinnen: 6dB ~ 6.3dB, Leistung max: 9W,

Wunschzettel.
2307
Microsemi Corporation

2307

Teilbestand: 648

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 42V, Häufigkeit - Übergang: 2.3GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 20.5W,

Wunschzettel.
2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

Teilbestand: 113796

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 300MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

Teilbestand: 145036

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 300MHz, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel.
2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

Teilbestand: 183409

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

Teilbestand: 149510

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

Teilbestand: 144

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel.
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Teilbestand: 170

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel.
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 171976

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 23dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Teilbestand: 111075

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 128600

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 16.5dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Teilbestand: 121034

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Teilbestand: 190

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Teilbestand: 170

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Teilbestand: 187

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 7dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Teilbestand: 173074

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Teilbestand: 128

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 7.5dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Teilbestand: 124837

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 23dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Teilbestand: 152602

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel.
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Teilbestand: 162523

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel.
2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

Teilbestand: 11976

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

Teilbestand: 11009

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

Teilbestand: 25708

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 1W,

Wunschzettel.
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

Teilbestand: 10939

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

Teilbestand: 7357

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 1.2W,

Wunschzettel.
2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

Teilbestand: 7305

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 125mW,

Wunschzettel.