Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

2SC5066-Y,LF

Teilbestand: 133840

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Leistung max: 100mW,

2SC2714-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 132303

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 100mW,

2SC5087R(TE85L,F)

Teilbestand: 156257

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

2SC5065-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 190913

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 17dB, Leistung max: 100mW,

2SC2714-O(TE85L,F)

Teilbestand: 167393

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 100mW,

2SC4228-T1-A

Teilbestand: 7376

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 150mW,

2SC3356-T1B-R25-A

Teilbestand: 7388

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

2SC3357-T1-RF-A

Teilbestand: 7278

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 1.2W,

2SC3356-T1B-R24-A

Teilbestand: 7312

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

2SC5754-A

Teilbestand: 7294

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 20GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 735mW,

2SC5752-A

Teilbestand: 7274

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

2SC5753-A

Teilbestand: 7237

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 205mW,

2SC5226A-4-TL-E

Teilbestand: 104161

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 150mW,

2SC5245A-4-TL-E

Teilbestand: 165918

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 150mW,

2SC5227A-5-TB-E

Teilbestand: 181168

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

2SC5226A-5-TL-E

Teilbestand: 106559

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 150mW,

2SC5488A-TL-H

Teilbestand: 176378

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 100mW,

2SC5415AE-TD-E

Teilbestand: 128956

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,

2SC48350RL

Teilbestand: 183320

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 14dB, Leistung max: 150mW,

2SC563200L

Teilbestand: 147583

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 150mW,

2SC4808J0L

Teilbestand: 152284

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 14dB, Leistung max: 125mW,

2SC4562GRL

Teilbestand: 164682

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 250MHz, Leistung max: 150mW,

2SC393700L

Teilbestand: 183598

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 150mW,

2SC4808G0L

Teilbestand: 122686

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 14dB, Leistung max: 125mW,

2SA1790GCL

Teilbestand: 173364

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 300MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Leistung max: 125mW,

2SC27780CL

Teilbestand: 190052

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 230MHz, Leistung max: 200mW,

2SC4618TLP

Teilbestand: 119559

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 300MHz, Leistung max: 150mW,

2SC4774T106S

Teilbestand: 161942

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 200mW,

2N5109

Teilbestand: 24279

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 1W,

2N5770

Teilbestand: 162792

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Leistung max: 625mW,

2324-20

Teilbestand: 7284

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 58W,

2731-200P

Teilbestand: 7245

Häufigkeit - Übergang: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Dazugewinnen: 8.7dB,

2224-12LP

Teilbestand: 7330

2224-6P

Teilbestand: 7327

2N4957

Teilbestand: 7223

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

2N2857UB

Teilbestand: 7284

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,