Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 1.2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 20GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 735mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 1.4dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB @ 1GHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 250MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Leistung max: 150mW,
