Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

2224-6L

Teilbestand: 370

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 2.2GHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 22W,

2223-1.7

Teilbestand: 7090

2SC5374A-TL-E

Teilbestand: 7229

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 5.2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10.5dB @ 1GHz, Leistung max: 100mW,

2SC5277A-2-TL-E

Teilbestand: 7254

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Leistung max: 100mW,

2SC4853A-4-TL-E

Teilbestand: 132077

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 10.5dB @ 1GHz, Leistung max: 90mW,

2SC5231A-9-TL-E

Teilbestand: 7206

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz, Leistung max: 100mW,

2SC5501A-4-TR-E

Teilbestand: 7253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 500mW,

2SC5231A-8-TL-E

Teilbestand: 7167

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 100mW,

2N3663

Teilbestand: 7116

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2.1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 1.5dB, Leistung max: 350mW,

2N5770_D27Z

Teilbestand: 7173

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

2N5770_D26Z

Teilbestand: 7159

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

2N5770_D75Z

Teilbestand: 4804

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

2SC5551AE-TD-E

Teilbestand: 155037

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Leistung max: 1.3W,

2SC5347AF-TD-E

Teilbestand: 129091

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 1.3W,

2SC5551AF-TD-E

Teilbestand: 7057

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Leistung max: 1.3W,

2SC3937G0L

Teilbestand: 7214

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 150mW,

2SC3932GTL

Teilbestand: 7213

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.6GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 150mW,

2SC3934G0L

Teilbestand: 7217

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 12dB, Leistung max: 150mW,

2SC3932GSL

Teilbestand: 7198

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.6GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 150mW,

2SC3931GCL

Teilbestand: 7181

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 150mW,

2SC22950BL

Teilbestand: 7094

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 250MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Leistung max: 200mW,

2SC39320SL

Teilbestand: 7142

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.6GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 150mW,

2SC24040CL

Teilbestand: 7119

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 150mW,

2SC501900L

Teilbestand: 7113

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 7.5dB ~ 10dB, Leistung max: 1W,

2SC4627J0L

Teilbestand: 7077

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 125mW,

2SC39320TL

Teilbestand: 7079

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.6GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 150mW,

2SC24040DL

Teilbestand: 7050

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 150mW,

2SC4626JCL

Teilbestand: 7102

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 250MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Leistung max: 125mW,

2SC39310CL

Teilbestand: 7048

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 150mW,

2SA1748GRL

Teilbestand: 7109

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 250MHz, Leistung max: 150mW,

2SC393400L

Teilbestand: 7071

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 12dB, Leistung max: 150mW,

2SC5632G0L

Teilbestand: 7072

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 150mW,

2SC4655JCL

Teilbestand: 7051

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 230MHz, Leistung max: 125mW,

2SC4093-T1-A

Teilbestand: 59617

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 14.2dB, Leistung max: 200mW,

2SC4227-T1-R34-A

Teilbestand: 7081

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 150mW,

2SC4915-Y,LF

Teilbestand: 7101

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 550MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 23dB, Leistung max: 100mW,