Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 180mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 205mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 1.8W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 1.8W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 205mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 190mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 115mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 115mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 1.2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 125mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 125mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 125mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 2.3GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 5.6W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Dazugewinnen: 12dB @ 400MHz, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Leistung max: 1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 3.4GHz ~ 3.7GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 9dB, Leistung max: 5.3W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 3.7GHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 2.2GHz ~ 2.5GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 10W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 4.3GHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 3W,
