Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

2SC4957-T1-A

2SC4957-T1-A

Teilbestand: 7305

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 180mW,

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2SC4095-T1-A

2SC4095-T1-A

Teilbestand: 7267

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

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2SC5013-T1-A

2SC5013-T1-A

Teilbestand: 7209

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 150mW,

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2SC5455-T1-A

2SC5455-T1-A

Teilbestand: 7226

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 200mW,

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2SC5752-T1-A

2SC5752-T1-A

Teilbestand: 7287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

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2SC5454-T1-A

2SC5454-T1-A

Teilbestand: 7270

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

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2SC5751-T2-A

2SC5751-T2-A

Teilbestand: 7301

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 205mW,

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2SC5750-T1-A

2SC5750-T1-A

Teilbestand: 7223

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 200mW,

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2SC5338-T1-AZ

2SC5338-T1-AZ

Teilbestand: 7252

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 1.8W,

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2SC4703-T1-AZ

2SC4703-T1-AZ

Teilbestand: 7225

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 1.8W,

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2SC5753-T2-A

2SC5753-T2-A

Teilbestand: 7210

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 205mW,

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2SC5509-T2-A

2SC5509-T2-A

Teilbestand: 7273

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 190mW,

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2SC5606-T1-A

2SC5606-T1-A

Teilbestand: 4794

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 115mW,

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2SC5508-T2-A

2SC5508-T2-A

Teilbestand: 7250

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 115mW,

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2SC5336-T1-AZ

2SC5336-T1-AZ

Teilbestand: 7277

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 1.2W,

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2SC5015-T1-A

2SC5015-T1-A

Teilbestand: 7276

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 150mW,

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2SC5008-T1-A

2SC5008-T1-A

Teilbestand: 7280

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 125mW,

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2SC5007-T1-A

2SC5007-T1-A

Teilbestand: 7265

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 125mW,

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2SC4536-T1-AZ

2SC4536-T1-AZ

Teilbestand: 7297

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 2W,

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2SC5006-T1-A

2SC5006-T1-A

Teilbestand: 7291

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 125mW,

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2SC4227-T1-A

2SC4227-T1-A

Teilbestand: 7281

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 150mW,

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2SC4094-T1-A

2SC4094-T1-A

Teilbestand: 7259

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 200mW,

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2SC4226-T1-A

2SC4226-T1-A

Teilbestand: 7260

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,

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2SC3585-T1B-A

2SC3585-T1B-A

Teilbestand: 4791

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2SC3356-T1B-A

2SC3356-T1B-A

Teilbestand: 4795

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

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2SC5415AF-TD-E

2SC5415AF-TD-E

Teilbestand: 166564

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,

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2SC5088-O(TE85L,F)

2SC5088-O(TE85L,F)

Teilbestand: 7295

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 100mW,

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2SC5108-Y,LF

2SC5108-Y,LF

Teilbestand: 4783

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 100mW,

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2301

2301

Teilbestand: 584

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 2.3GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 5.6W,

Wunschzettel.
2N5031

2N5031

Teilbestand: 7272

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Dazugewinnen: 12dB @ 400MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
2N3866A

2N3866A

Teilbestand: 7217

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Leistung max: 1W,

Wunschzettel.
2N3866

2N3866

Teilbestand: 26291

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Leistung max: 1W,

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2A5

2A5

Teilbestand: 697

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 3.4GHz ~ 3.7GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 9dB, Leistung max: 5.3W,

Wunschzettel.
23A008

23A008

Teilbestand: 500

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 3.7GHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 5W,

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2225-4L

2225-4L

Teilbestand: 7281

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 2.2GHz ~ 2.5GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 10W,

Wunschzettel.
23A005

23A005

Teilbestand: 634

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 4.3GHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 3W,

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