Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

75109A

Teilbestand: 4787

75096A

Teilbestand: 7341

74060H

Teilbestand: 7251

70062A

Teilbestand: 4804

70060A

Teilbestand: 7318

70061A

Teilbestand: 7262

75102

Teilbestand: 29112

75112

Teilbestand: 7306

76016S

Teilbestand: 7117

75086H

Teilbestand: 7034

75060B

Teilbestand: 7098

80279H

Teilbestand: 7293

80277H

Teilbestand: 7331

80275H

Teilbestand: 7251

82094

Teilbestand: 7294

80262

Teilbestand: 7333

80005

Teilbestand: 7070

90025HS

Teilbestand: 7109

AT-42000-GP4

Teilbestand: 7186

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 14dB, Leistung max: 600mW,

AT-41535G

Teilbestand: 7208

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 18dB, Leistung max: 500mW,

AT-41500-GP4

Teilbestand: 7158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 17dB, Leistung max: 500mW,

AT-42086-TR1G

Teilbestand: 7214

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 13dB, Leistung max: 500mW,

AT-31033-TR1G

Teilbestand: 143319

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 11dB, Leistung max: 150mW,

AT-30511-TR1G

Teilbestand: 171350

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 16dB, Leistung max: 100mW,

AT-31011-TR1G

Teilbestand: 168339

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 150mW,

AT-41586-TR1G

Teilbestand: 7192

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 17dB, Leistung max: 500mW,

AT-41486-TR1G

Teilbestand: 7220

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 18dB, Leistung max: 500mW,

AT-42036-TR1G

Teilbestand: 7197

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 13.5dB, Leistung max: 600mW,

AT-32063-TR2G

Teilbestand: 155885

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14.5dB, Leistung max: 150mW,

AT-41532-TR2G

Teilbestand: 7212

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,

AT-31033-TR2G

Teilbestand: 182903

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 11dB, Leistung max: 150mW,

AT-41586-TR2G

Teilbestand: 7218

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 17dB, Leistung max: 500mW,

AT-41486-TR2G

Teilbestand: 7226

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 18dB, Leistung max: 500mW,

AT-32033-TR2G

Teilbestand: 194357

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 12.5dB, Leistung max: 200mW,

AT-41533-TR2G

Teilbestand: 7151

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 14.5dB, Leistung max: 225mW,

AT-42086-TR2G

Teilbestand: 7193

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 13dB, Leistung max: 500mW,