Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

PH2731-75L

Teilbestand: 250

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 8.16dB ~ 8.86dB, Leistung max: 75W,

MRF448

Teilbestand: 696

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 250W,

NE97733-T1B-A

Teilbestand: 7204

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

NE851M13-T3-A

Teilbestand: 7263

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ, Leistung max: 140mW,

NE68039-T1-R46-A

Teilbestand: 7263

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

NE85634-T1-RF-A

Teilbestand: 7252

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 1.2W,

NE67739-A

Teilbestand: 7288

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

NE85633-T1B-R25-A

Teilbestand: 4762

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

NESG2046M33-A

Teilbestand: 7127

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 18GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 11.5dB, Leistung max: 130mW,

NE461M02-T1-AZ

Teilbestand: 7180

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 2W,

UPA801T-A

Teilbestand: 7202

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Leistung max: 200mW,

PN3563_D26Z

Teilbestand: 7150

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 26dB, Leistung max: 350mW,

MPSH10_D75Z

Teilbestand: 4800

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

MPSH81_D26Z

Teilbestand: 5514

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 350mW,

MSC86580

Teilbestand: 7289

SD1372-01H

Teilbestand: 4788

SD1244-09H

Teilbestand: 4737

MRF8372G

Teilbestand: 7242

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

SD1332-05H

Teilbestand: 7296

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 180W,

MS1076

Teilbestand: 994

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 320W,

MS2322

Teilbestand: 7281

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 87.5W,

MRF545

Teilbestand: 7255

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 3.5W,

UTV8100B

Teilbestand: 255

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 290W,

TAN75A

Teilbestand: 437

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 8.5dB, Leistung max: 290W,

MS2563

Teilbestand: 4821

JANTX2N4957

Teilbestand: 1887

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

MS2506

Teilbestand: 7341

SD1330-06H

Teilbestand: 7298

JANTXV2N2857

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Leistung max: 200mW,

TPR175

Teilbestand: 656

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9dB, Leistung max: 290W,

MS2422

Teilbestand: 368

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 6.3dB, Leistung max: 875W,

ZUMTS17NTA

Teilbestand: 197753

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11V, Häufigkeit - Übergang: 3.2GHz, Leistung max: 330mW,

MAX2601ESA+T

Teilbestand: 27552

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

HFA3127BZ96

Teilbestand: 16756

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

START499ETR

Teilbestand: 7174

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 1.9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 600mW,

RX1214B300Y,114

Teilbestand: 4766

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 570W,