Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

FMMTH10TA

Teilbestand: 7127

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,

FMMT918TC

Teilbestand: 7099

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 330mW,

NE461M02-AZ

Teilbestand: 7149

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 2W,

NE68830-T1-A

Teilbestand: 7112

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 150mW,

NE677M04-A

Teilbestand: 7129

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 205mW,

NE856M02-AZ

Teilbestand: 7051

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 1.2W,

NE85630-A

Teilbestand: 7163

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,

NE85619-A

Teilbestand: 7196

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 100mW,

NE85639-A

Teilbestand: 7095

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

NE68819-A

Teilbestand: 7201

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 125mW,

NE85630-R24-A

Teilbestand: 4738

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,

NE68530-A

Teilbestand: 7110

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 150mW,

NE68530-T1-A

Teilbestand: 7125

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 150mW,

UPA806T-A

Teilbestand: 7053

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 200mW,

MS2587

Teilbestand: 7035

MS2248

Teilbestand: 7050

JANTXV2N4957

Teilbestand: 7087

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

SD1536-08

Teilbestand: 389

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 292W,

MPS3563

Teilbestand: 7049

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 14dB @ 200MHz, Leistung max: 350W,

KSC1730YBU

Teilbestand: 7128

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 250mW,

KSC1393RTA

Teilbestand: 7167

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

KSC2756YMTF

Teilbestand: 7180

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 850MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

KSC2786OTA

Teilbestand: 4780

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

KSC3123OMTF

Teilbestand: 7146

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

KSC1674COTA

Teilbestand: 7157

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

KSC2756OMTF

Teilbestand: 7060

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 850MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

KSC2756RMTF

Teilbestand: 7189

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 850MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,

KSC1674COBU

Teilbestand: 7160

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

SMMBTH10-4LT3G

Teilbestand: 123119

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 225mW,

KSC1674YBU

Teilbestand: 106417

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

KSC1674OBU

Teilbestand: 4786

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

KSC1730OBU

Teilbestand: 7115

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 250mW,

SD1488

Teilbestand: 4741

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 5.8dB, Leistung max: 117W,

PBR951,215

Teilbestand: 7103

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 365mW,

MPSH10

Teilbestand: 7080

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

HFA3134IHZ96

Teilbestand: 23582

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz,