Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

CP681-MPSH81-CM

Teilbestand: 7292

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz,

CMPTH81 BK

Teilbestand: 7336

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 225mW,

MMBTH24

Teilbestand: 192649

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Leistung max: 225mW,

PN3563_D75Z

Teilbestand: 7246

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 26dB, Leistung max: 350mW,

MSC2295-BT1G

Teilbestand: 7211

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 200mW,

MMBTH10M3T5G

Teilbestand: 110865

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 265mW,

NSVF4015SG4T1G

Teilbestand: 9920

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 450mW,

MSC3930-BT1G

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 200mW,

SRF4427

Teilbestand: 49572

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 18dB, Leistung max: 1.5W,

MRF559

Teilbestand: 7252

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 2W,

SD1332-05C

Teilbestand: 7331

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 180W,

MS1612

Teilbestand: 7283

MS2588

Teilbestand: 7315

SD1013-20H

Teilbestand: 7349

MRF559GT

Teilbestand: 7310

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 2W,

S200-50

Teilbestand: 463

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 110V, Häufigkeit - Übergang: 1.5MHz ~ 30MHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 14.5dB, Leistung max: 320W,

C1-28Z

Teilbestand: 7302

SD8253-02H

Teilbestand: 7323

SD1400-03

Teilbestand: 7306

SD1330-05H

Teilbestand: 7353

UMIL25

Teilbestand: 7228

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 33V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 8.9db ~ 10dB, Leistung max: 70W,

SD1526-01

Teilbestand: 1136

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 21.9W,

MS2473

Teilbestand: 348

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 2300W,

MRF5812GR2

Teilbestand: 7175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MS2608

Teilbestand: 7297

MS2215

Teilbestand: 7243

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 300W,

DME400A

Teilbestand: 284

MSC1450A

Teilbestand: 7317

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 910W,

MMBTH24-7-F

Teilbestand: 197291

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz, Leistung max: 300mW,

NE85633-A

Teilbestand: 7273

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

NESG7030M04-A

Teilbestand: 4779

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.3V, Häufigkeit - Übergang: 5.8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 21dB, Leistung max: 125mW,

NE68130-T1-R34-A

Teilbestand: 7230

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,

UPA811T-A

Teilbestand: 7204

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 200mW,

PH1090-350L

Teilbestand: 215

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Dazugewinnen: 8.32dB, Leistung max: 350W,

MT3S20TU(TE85L)

Teilbestand: 135

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 900mW,

HFA3128BZ96

Teilbestand: 7383

Transistortyp: 5 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,