Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MCH4020-TL-H

Teilbestand: 162279

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB @ 1GHz, Leistung max: 400mW,

SS9018HBU

Teilbestand: 177980

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 400mW,

MSC2295-CT1

Teilbestand: 4721

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 200mW,

EC3H02BA-TL-H

Teilbestand: 7201

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 100mW,

KSP10BU

Teilbestand: 180971

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

SS9018GBU

Teilbestand: 126389

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 400mW,

MPSH10_D26Z

Teilbestand: 7211

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

MS1001A

Teilbestand: 7254

MDS70

Teilbestand: 506

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 10.3dB ~ 11.65dB, Leistung max: 225W,

MS1003

Teilbestand: 935

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 136MHz ~ 175MHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 270W,

MS2472

Teilbestand: 7221

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 5.6dB, Leistung max: 1350W,

MS2392

Teilbestand: 7354

SD1372-03H

Teilbestand: 7343

MS1409

Teilbestand: 6714

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 7W,

MPA201HS

Teilbestand: 7314

MRF4427R2

Teilbestand: 7287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

TAN150

Teilbestand: 377

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 583W,

MRF8372R2

Teilbestand: 4822

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

MS1007

Teilbestand: 4756

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 233W,

MS1087T

Teilbestand: 7288

MRF517

Teilbestand: 7260

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 10dB, Leistung max: 2.5W,

TAN300

Teilbestand: 253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 6.6dB, Leistung max: 1166W,

MS2204

Teilbestand: 7244

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 10.8dB, Leistung max: 600mW,

TAN500

Teilbestand: 227

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 2500W,

ON5087,115

Teilbestand: 165790

MAX2602ESA+T

Teilbestand: 27102

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

DSC9G0200L

Teilbestand: 175431

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 125mW,

SD1275

Teilbestand: 1283

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 70W,

SD1274-01

Teilbestand: 1673

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 70W,

UPA810T-A

Teilbestand: 7154

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,

UPA801T-T1-A

Teilbestand: 7215

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,

PH3134-75S

Teilbestand: 7216

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 75W,

PH3135-65M

Teilbestand: 220

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 8.23dB ~ 9.09dB, Leistung max: 65W,

MT3S16U(TE85L,F)

Teilbestand: 176440

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 4.5dBi, Leistung max: 100mW,

HFA3046BZ

Teilbestand: 7918

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

ZTX325STOB

Teilbestand: 7160

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 53dB, Leistung max: 350mW,