Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 360mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.5V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 22dB, Leistung max: 188mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.6dB, Leistung max: 940W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 15W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 33V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Dazugewinnen: 5.5dBi, Leistung max: 260W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 6.5dB ~ 10.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 8.6dB, Leistung max: 1458W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 28V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 80W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 25W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 28V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 10dB, Leistung max: 65W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 500W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.3V, Häufigkeit - Übergang: 11.2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 900mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.6GHz, Leistung max: 45W,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Dazugewinnen: 9.44dB ~ 9.77dB, Leistung max: 500W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 8.06dB ~ 8.45dB, Leistung max: 115W,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 70W,
