Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

UTV020

Teilbestand: 7081

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 17W,

NE677M04-T2-A

Teilbestand: 7199

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 205mW,

NE68039-T1-A

Teilbestand: 7184

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 200mW,

NE68039R-T1

Teilbestand: 168760

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 6.5dB ~ 11dB, Leistung max: 200mW,

NESG2101M05-A

Teilbestand: 7180

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 17GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 19dB, Leistung max: 500mW,

NE67839-T1-A

Teilbestand: 7053

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 200mW,

NE85630-T1-A

Teilbestand: 7101

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,

UPA814T-T1

Teilbestand: 7111

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,

NE46134-T1-AZ

Teilbestand: 7120

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 2W,

NE662M04-A

Teilbestand: 4770

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 115mW,

UPA810T-T1

Teilbestand: 7114

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 9dB, Leistung max: 200mW,

NE687M03-A

Teilbestand: 7189

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Leistung max: 90mW,

NE68833-T1-A

Teilbestand: 7144

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,

NE68119-A

Teilbestand: 7174

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 100mW,

NE851M03-A

Teilbestand: 7153

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,

NE85630-T1-R24-A

Teilbestand: 5524

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,

NE85634-T1

Teilbestand: 7163

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Leistung max: 2W,

NE68119-T1

Teilbestand: 7090

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 14dB, Leistung max: 100mW,

NE696M01-A

Teilbestand: 7151

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz, Leistung max: 150mW,

NE85633-T1B-A

Teilbestand: 7150

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

MZ0912B50Y,114

Teilbestand: 7071

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.215GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 150W,

PN918

Teilbestand: 7114

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

KST10MTF

Teilbestand: 180071

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

MPS5179

Teilbestand: 4760

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 200mW,

KSC1393YTA

Teilbestand: 7126

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

FPNH10

Teilbestand: 7054

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

KST5179MTF

Teilbestand: 7051

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

KSC1674YTA

Teilbestand: 7106

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

KSC2786YBU

Teilbestand: 7096

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

NSVF2250WT1

Teilbestand: 7068

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V,

PRF949,115

Teilbestand: 4725

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

CA3127M

Teilbestand: 4718

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 27dB ~ 30dB, Leistung max: 85mW,

HFA3128R96

Teilbestand: 7183

Transistortyp: 5 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

HFA3096B

Teilbestand: 7090

Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, 15V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

SD1275-01

Teilbestand: 7151

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 70W,

MPSH81

Teilbestand: 27862