Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

NE68833-A

Teilbestand: 7178

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,

NE97833-A

Teilbestand: 7118

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 200mW,

NE68019-A

Teilbestand: 7173

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.6dB, Leistung max: 100mW,

NE687M33-T3-A

Teilbestand: 7184

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz, Leistung max: 90mW,

NE685M13-A

Teilbestand: 4780

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 140mW,

NE685M33-T3-A

Teilbestand: 7130

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 130mW,

NE68519-T1-A

Teilbestand: 7169

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 125mW,

NE85634-T1-A

Teilbestand: 7086

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 2W,

NE52418-T1-A

Teilbestand: 4785

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 16dB, Leistung max: 150mW,

NE68030-T1-A

Teilbestand: 7037

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.4dB, Leistung max: 150mW,

UPA800T-T1-A

Teilbestand: 7152

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 200mW,

NE68819-T1-A

Teilbestand: 7089

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 125mW,

NE68118-A

Teilbestand: 7193

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 150mW,

NE68130-T1-A

Teilbestand: 7135

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,

NE85619-T1-A

Teilbestand: 7093

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 100mW,

UPA806T-T1

Teilbestand: 7135

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,

UPA800T-T1

Teilbestand: 7107

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,

NE97733-A

Teilbestand: 7084

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

NE851M33-A

Teilbestand: 7197

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 130mW,

ZUMT918TA

Teilbestand: 7065

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 330mW,

SD1726

Teilbestand: 7100

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 318W,

SD1731

Teilbestand: 4746

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 233W,

MPSH10G

Teilbestand: 7117

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

MMBT918LT1

Teilbestand: 7154

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 225mW,

MPSH17

Teilbestand: 7158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,

KSC1393YBU

Teilbestand: 7169

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,

KSC1730YTA

Teilbestand: 7131

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 250mW,

MPSH17G

Teilbestand: 4801

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,

KSC2786OBU

Teilbestand: 7180

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,

MMBT918LT1G

Teilbestand: 165175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 225mW,

KSC1674OTA

Teilbestand: 7165

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,

HFA3102B96

Teilbestand: 7073

Transistortyp: 6 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 12.4dB ~ 17.5dB, Leistung max: 250mW,

HFA3128R

Teilbestand: 7172

Transistortyp: 5 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

MBC13900T1

Teilbestand: 7094

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.5V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 22dB, Leistung max: 188mW,

MS2586

Teilbestand: 7060

SD1536-03

Teilbestand: 7105

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 292W,