Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

NE462M02-AZ

Teilbestand: 7310

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 1.8W,

NE68139-A

Teilbestand: 7306

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 200mW,

NE461M02-T1-QS-AZ

Teilbestand: 7273

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 2W,

NE85633L-A

Teilbestand: 7184

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,

UPA811T-T1-A

Teilbestand: 7119

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 200mW,

NE67739-T1-A

Teilbestand: 7250

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

NE662M04-T2-A

Teilbestand: 7197

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 115mW,

NE46134-T1-QS-AZ

Teilbestand: 7302

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 2W,

NE85633-R23-A

Teilbestand: 7257

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

NE202930-T1-A

Teilbestand: 7256

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 150mW,

MRFC545

Teilbestand: 7305

MS2210

Teilbestand: 331

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 940W,

MC1331-2

Teilbestand: 7281

MS1006

Teilbestand: 7271

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 127W,

MS1008

Teilbestand: 907

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 233W,

JAN2N4957UB

Teilbestand: 1984

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

MS2477

Teilbestand: 7282

MS2441

Teilbestand: 366

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 1458W,

MS2212

Teilbestand: 7215

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8.1dB ~ 8.9dB, Leistung max: 50W,

SD1057-01H

Teilbestand: 7285

SD1309-01H

Teilbestand: 7298

MS1226

Teilbestand: 1376

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 36V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 80W,

UMIL10

Teilbestand: 696

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 100MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 28W,

SD1224-02

Teilbestand: 1452

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 7.6dB, Leistung max: 60W,

MS1076A

Teilbestand: 7292

MRFC544

Teilbestand: 7319

MRF8372

Teilbestand: 7237

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

MS2321

Teilbestand: 7271

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 87.5W,

NSVF3007SG3T1G

Teilbestand: 9957

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 350mW,

MSC3930-BT1

Teilbestand: 7157

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 200mW,

MPSH10_D27Z

Teilbestand: 7177

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

PN3563_D74Z

Teilbestand: 7191

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 26dB, Leistung max: 350mW,

ON5088,115

Teilbestand: 141028

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 55GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 136mW,

MRF454

Teilbestand: 1297

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 80W,

MAX2602ESA-T

Teilbestand: 7183

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,

HFA3127BZ

Teilbestand: 8717

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,