Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 24dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 23dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 18dB ~ 22dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 3W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 175W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 16dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 180mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 6.5dB ~ 12.5dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 10.2dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Leistung max: 90mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 5.3dB ~ 12.5dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 125mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.6dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 125mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 205mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 53dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 183W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Dazugewinnen: 15dB ~ 17dB, Leistung max: 330W,
Transistortyp: 5 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,
