Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

APTM120H29FG

Teilbestand: 261

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

Teilbestand: 446

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 278A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

Teilbestand: 2107

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

Teilbestand: 139

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V (1.7kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 5mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

Teilbestand: 1065

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

Teilbestand: 381

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 208A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

Teilbestand: 433

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 317A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

Teilbestand: 940

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 139A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

Teilbestand: 1470

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

Teilbestand: 1719

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

Teilbestand: 1728

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

Teilbestand: 599

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

Teilbestand: 489

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

Teilbestand: 743

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

Teilbestand: 1759

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

Teilbestand: 248

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

Teilbestand: 545

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

Teilbestand: 688

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

Teilbestand: 820

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 278A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

Teilbestand: 1479

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

Teilbestand: 1300

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

Teilbestand: 1022

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

Teilbestand: 2362

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

Teilbestand: 667

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

Teilbestand: 173

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 143A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 2mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM120A20DG

Teilbestand: 538

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

Teilbestand: 293

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

Teilbestand: 251

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 15mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

Teilbestand: 1269

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

Teilbestand: 1114

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

Teilbestand: 1965

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

Teilbestand: 553

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

Teilbestand: 1722

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H18FG

Teilbestand: 404

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

Teilbestand: 784

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

Teilbestand: 537

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 104A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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