Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 118MHz ~ 136MHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 15W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 70W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 7.8W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 7.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 80W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 8W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 910W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9dB, Leistung max: 1944W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 8dB, Leistung max: 175W,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 2.5GHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 450MHz, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 22.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 50mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 100W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 60W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 350W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 45mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Dazugewinnen: 11.6dB, Leistung max: 6.4W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 20GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 735mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9.2V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 1.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 115mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 16.5dB, Leistung max: 1.8W,
Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, 15V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Leistung max: 330mW,
