Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MS1051

Teilbestand: 7261

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 290W,

MSC80806

Teilbestand: 7277

MS2213

Teilbestand: 7258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.8dB, Leistung max: 75W,

MSC1400M

Teilbestand: 7239

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 1000W,

UMIL80

Teilbestand: 325

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 31V, Häufigkeit - Übergang: 200MHz ~ 500MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 9.5dB, Leistung max: 220W,

MRF4427GR2

Teilbestand: 7241

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

MS2267

Teilbestand: 273

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 8.7dB, Leistung max: 575W,

MRF8372GR2

Teilbestand: 7269

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

MRF581A

Teilbestand: 7176

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MS2092H

Teilbestand: 7332

MS2206A

Teilbestand: 7288

MS1406

Teilbestand: 7275

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 8.2dB, Leistung max: 30W,

JANTXV2N4957UB

Teilbestand: 7261

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

MS1076C

Teilbestand: 7292

JANTX2N4957UB

Teilbestand: 1738

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

MS2348

Teilbestand: 7296

MS652S

Teilbestand: 1249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 450MHz ~ 512MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 25W,

MRF555T

Teilbestand: 7249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 11dB ~ 12.5dB, Leistung max: 3W,

CP681-MPSH81-CT

Teilbestand: 7284

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz,

CA3127MZ

Teilbestand: 7162

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 27dB ~ 30dB, Leistung max: 85mW,

HFA3102BZ

Teilbestand: 14972

Transistortyp: 6 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 12.4dB ~ 17.5dB, Leistung max: 250mW,

NESG2030M04-A

Teilbestand: 7199

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.3V, Häufigkeit - Übergang: 60GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 80mW,

UPA800T-A

Teilbestand: 7204

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 200mW,

NE85633-T1B-R24-A

Teilbestand: 7148

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

NE67718-A

Teilbestand: 7317

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 200mW,

EC4H09C-TL-H

Teilbestand: 7208

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 26GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 120mW,

MMBT918

Teilbestand: 167438

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 225mW,

MMBTH11

Teilbestand: 102202

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 225mW,

PH1090-75L

Teilbestand: 360

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Dazugewinnen: 10.70dB ~ 10.81dB, Leistung max: 75W,

MAPR-002729-170M00

Teilbestand: 158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 9.11dB ~ 9.69dB, Leistung max: 170W,

PH1090-550S

Teilbestand: 185

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Dazugewinnen: 8.06dB, Leistung max: 550W,

MRF1090MB

Teilbestand: 1586

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Dazugewinnen: 10.8dB, Leistung max: 90W,

PH3135-5S

Teilbestand: 385

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 5W,

MRF10120

Teilbestand: 460

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 120W,

PH3135-20M

Teilbestand: 312

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 20W,

DMC506E20R

Teilbestand: 102215

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 150mW,