Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

APTM120H140FT1G

Teilbestand: 1785

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

Teilbestand: 1187

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 37A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A13DG

Teilbestand: 505

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 65A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

Teilbestand: 1155

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

Teilbestand: 858

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

Teilbestand: 728

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

Teilbestand: 63

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 30mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

Teilbestand: 799

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 89A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

Teilbestand: 1635

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

Teilbestand: 860

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

Teilbestand: 1954

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

Teilbestand: 880

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM242G

Teilbestand: 951

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

Teilbestand: 440

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 163A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM120DU15G

Teilbestand: 383

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

Teilbestand: 1490

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

Teilbestand: 401

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10TAM19FPG

Teilbestand: 905

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

Teilbestand: 622

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

Teilbestand: 814

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

Teilbestand: 825

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

Teilbestand: 874

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 89A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

Teilbestand: 1737

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

Teilbestand: 517

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

Teilbestand: 121

FET-Typ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 219A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 30mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

Teilbestand: 485

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 372A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

Teilbestand: 202

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 30mA (Typ),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

Teilbestand: 341

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 116A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.6V @ 6mA,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

Teilbestand: 772

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

Teilbestand: 1322

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

Teilbestand: 81

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 20mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

Teilbestand: 2039

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

Teilbestand: 808

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

Teilbestand: 635

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

Teilbestand: 726

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

Teilbestand: 866

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 208A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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