Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

APTM10AM02FG
Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

Teilbestand: 400

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 495A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10mA,

Wunschzettel.
APTM10DSKM09T3G
Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

Teilbestand: 1457

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 139A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTC60BBM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

Teilbestand: 1133

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTML602U12R020T3AG
Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

Teilbestand: 485

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTC60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

Teilbestand: 1289

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

Wunschzettel.
APTM20HM16FTG
Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

Teilbestand: 748

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 104A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTM20AM10FTG
Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

Teilbestand: 856

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTMC120AM09CT3AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

Teilbestand: 162

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 295A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 40mA (Typ),

Wunschzettel.
APTC60DDAM70T1G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

Teilbestand: 2258

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

Wunschzettel.
APTC60AM45BC1G
Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

Teilbestand: 1478

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

Wunschzettel.
APTM10TAM09FPG
Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

Teilbestand: 558

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 139A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTM100DSK35T3G
Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

Teilbestand: 1267

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTC60AM45B1G
Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

Teilbestand: 1093

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

Wunschzettel.
APTM100H46FT3G
Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

Teilbestand: 1492

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTM50HM75FTG
Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

Teilbestand: 809

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTC60HM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

Teilbestand: 757

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTM100AM90FG
Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

Teilbestand: 379

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

Wunschzettel.
APTM20DUM05G
Microsemi Corporation

APTM20DUM05G

Teilbestand: 536

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 317A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

Wunschzettel.
APTM100H35FTG
Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

Teilbestand: 731

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTM50AM35FTG
Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

Teilbestand: 766

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 99A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTM50HM65FTG
Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

Teilbestand: 767

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTM100TA35FPG
Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

Teilbestand: 533

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTC60HM70T1G
Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

Teilbestand: 1743

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

Wunschzettel.
APTM50HM35FG
Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

Teilbestand: 448

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 99A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTM60A11FT1G
Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

Teilbestand: 2026

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel.
APTC60DHM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

Teilbestand: 1204

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTC60AM24SCTG
Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

Teilbestand: 712

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTMC120HM17CT3AG
Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

Teilbestand: 306

FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 30mA,

Wunschzettel.
APTM50DDA10T3G
Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

Teilbestand: 1671

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 37A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

Wunschzettel.
APTM50HM38FG
Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

Teilbestand: 461

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel.
APTM120A15FG
Microsemi Corporation

APTM120A15FG

Teilbestand: 396

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

Wunschzettel.
APTC80TDU15PG
Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

Teilbestand: 936

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

Wunschzettel.
APTM50AM17FG
Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

Teilbestand: 423

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

Wunschzettel.
APTM10DUM02G
Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

Teilbestand: 488

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 495A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10mA,

Wunschzettel.
APTMC170AM60CT1AG
Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

Teilbestand: 196

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V (1.7kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

Wunschzettel.
APTC60VDAM45T1G
Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

Teilbestand: 1797

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

Wunschzettel.