Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

AON6884

Teilbestand: 154901

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8820

Teilbestand: 194644

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2803

Teilbestand: 190228

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2812

Teilbestand: 146110

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6946

Teilbestand: 113613

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A, 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6980

Teilbestand: 189812

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A, 27A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4818B

Teilbestand: 190375

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4629

Teilbestand: 106543

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6998

Teilbestand: 176831

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8801A

Teilbestand: 122683

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2806

Teilbestand: 159850

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3611

Teilbestand: 113670

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4801A

Teilbestand: 131073

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4620

Teilbestand: 151361

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7934

Teilbestand: 197337

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.2 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6812

Teilbestand: 158569

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC3862

Teilbestand: 261

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4822A

Teilbestand: 149283

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AONY36352

Teilbestand: 235

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804A

Teilbestand: 194771

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2802

Teilbestand: 116176

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6932

Teilbestand: 152911

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4806

Teilbestand: 119746

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3816

Teilbestand: 157207

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2801

Teilbestand: 131253

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4627

Teilbestand: 147700

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6932A

Teilbestand: 154428

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8814

Teilbestand: 164101

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3814

Teilbestand: 195278

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4862E

Teilbestand: 245

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3818

Teilbestand: 123956

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD661

Teilbestand: 243

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 12A, 10V, 22.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2804B

Teilbestand: 168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4840E

Teilbestand: 175

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD603A

Teilbestand: 166389

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6604

Teilbestand: 164973

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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