Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

AO6808

Teilbestand: 128425

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6810

Teilbestand: 195

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2870

Teilbestand: 192

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6932

Teilbestand: 253

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 1.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6906A

Teilbestand: 141209

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A, 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6992

Teilbestand: 167444

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, 31A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7800

Teilbestand: 101225

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 900mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6934A

Teilbestand: 192175

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5816

Teilbestand: 242

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3820

Teilbestand: 237

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.9 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6926

Teilbestand: 176157

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4616

Teilbestand: 137081

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSD62666E

Teilbestand: 234

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4892

Teilbestand: 184805

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4832

Teilbestand: 146127

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD607A

Teilbestand: 189762

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), 12A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, 27 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926C

Teilbestand: 121665

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4854

Teilbestand: 178118

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6930

Teilbestand: 215

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6608

Teilbestand: 153844

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6994

Teilbestand: 185070

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6912A

Teilbestand: 191296

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, 13.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8808A

Teilbestand: 192801

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2810

Teilbestand: 115713

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 44 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6802

Teilbestand: 113666

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5820

Teilbestand: 177428

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6934

Teilbestand: 185097

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4884

Teilbestand: 124312

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926B

Teilbestand: 120793

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6601

Teilbestand: 110328

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD212900APAL

Teilbestand: 19683

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm, Vgs(th) (Max) @ ID: 10mV @ 20µA,

Wunschzettel.

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800PCL

Teilbestand: 22645

FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 20mV @ 1µA,

Wunschzettel.

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800ASCL

Teilbestand: 15215

FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 10mV @ 1µA,

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Microsemi Corporation

APTM100H45SCTG

Teilbestand: 480

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A13SCG

Teilbestand: 292

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 65A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM24SCG

Teilbestand: 372

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

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