Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

ALD114835PCL

ALD114835PCL

Teilbestand: 21080

FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair, FET-Funktion: Depletion Mode, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.45V @ 1µA,

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ALD114804PCL

ALD114804PCL

Teilbestand: 23866

FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair, FET-Funktion: Depletion Mode, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs(th) (Max) @ ID: 360mV @ 1µA,

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ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

Teilbestand: 20563

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.01V @ 1µA,

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ALD210800PCL

ALD210800PCL

Teilbestand: 22423

FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm, Vgs(th) (Max) @ ID: 20mV @ 10µA,

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ALD212900SAL

ALD212900SAL

Teilbestand: 29389

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm, Vgs(th) (Max) @ ID: 20mV @ 20µA,

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ALD1102SAL

ALD1102SAL

Teilbestand: 18848

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 10µA,

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ALD310704APCL

ALD310704APCL

Teilbestand: 13531

FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 380mV @ 1µA,

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ALD110904PAL

ALD110904PAL

Teilbestand: 22024

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 420mV @ 1µA,

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ALD110904SAL

ALD110904SAL

Teilbestand: 21998

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 420mV @ 1µA,

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ALD110808APCL

ALD110808APCL

Teilbestand: 15203

FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 810mV @ 1µA,

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ALD110900PAL

ALD110900PAL

Teilbestand: 21972

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 20mV @ 1µA,

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APTMC120TAM33CTPAG

APTMC120TAM33CTPAG

Teilbestand: 107

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 3mA (Typ),

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APTM50H14FT3G

APTM50H14FT3G

Teilbestand: 1149

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

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APTMC120AM25CT3AG

APTMC120AM25CT3AG

Teilbestand: 283

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 113A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 4mA (Typ),

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APTSM120AM08CT6AG

APTSM120AM08CT6AG

Teilbestand: 144

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 370A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 10mA,

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APTSM120TAM33CTPAG

APTSM120TAM33CTPAG

Teilbestand: 177

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 112A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 3mA,

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APTSM120AM09CD3AG

APTSM120AM09CD3AG

Teilbestand: 195

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 337A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 9mA,

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APTSM120AM14CD3AG

APTSM120AM14CD3AG

Teilbestand: 248

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 337A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 9mA,

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APTSM120AM55CT1AG

APTSM120AM55CT1AG

Teilbestand: 589

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 2mA,

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APTSM120AM25CT3AG

APTSM120AM25CT3AG

Teilbestand: 290

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 148A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 4mA,

Wunschzettel.
APTMC120AM08CD3AG

APTMC120AM08CD3AG

Teilbestand: 68

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 10mA (Typ),

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APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G

Teilbestand: 692

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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APTM50AM38STG

APTM50AM38STG

Teilbestand: 559

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel.
AO4828

AO4828

Teilbestand: 197

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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AOE6936

AOE6936

Teilbestand: 241

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.
AO4862

AO4862

Teilbestand: 168294

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
AON4803

AON4803

Teilbestand: 144807

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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AO8810

AO8810

Teilbestand: 162690

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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AON6996

AON6996

Teilbestand: 180862

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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AON6850

AON6850

Teilbestand: 99071

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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AO4614A

AO4614A

Teilbestand: 181100

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
AO6602L

AO6602L

Teilbestand: 108988

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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AOC3868

AOC3868

Teilbestand: 244

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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AOE6922
Wunschzettel.
AO8822

AO8822

Teilbestand: 186647

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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AO6800

AO6800

Teilbestand: 191185

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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