Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MRF5812M

MRF5812M

Teilbestand: 5533

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MRF5812MR2

MRF5812MR2

Teilbestand: 7279

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JANS2N2857UB-LC

JANS2N2857UB-LC

Teilbestand: 4803

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,

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SD1419-06H

SD1419-06H

Teilbestand: 7341

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MS2341

MS2341

Teilbestand: 7288

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 87.5W,

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JAN2N4957

JAN2N4957

Teilbestand: 7284

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

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MSC72111H

MSC72111H

Teilbestand: 7267

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SD8002-01H

SD8002-01H

Teilbestand: 7301

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MSC74070

MSC74070

Teilbestand: 7353

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MS1579

MS1579

Teilbestand: 7203

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 65W,

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MS2874

MS2874

Teilbestand: 7302

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MS2200A

MS2200A

Teilbestand: 7286

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MDS500L

MDS500L

Teilbestand: 199

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 9.2dB, Leistung max: 833W,

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JAN2N2857UB

JAN2N2857UB

Teilbestand: 1258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,

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MS1015D

MS1015D

Teilbestand: 7280

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MS2279

MS2279

Teilbestand: 7291

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DME375A

DME375A

Teilbestand: 319

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 375W,

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MRF5812G

MRF5812G

Teilbestand: 7287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

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UPA812T-A

UPA812T-A

Teilbestand: 7182

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

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NE68030-T1-R45-A

NE68030-T1-R45-A

Teilbestand: 7208

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.4dB, Leistung max: 150mW,

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NE68033-T1B-A

NE68033-T1B-A

Teilbestand: 7187

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,

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NESG270034-T1-AZ

NESG270034-T1-AZ

Teilbestand: 7214

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9.2V, Leistung max: 1.9W,

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NESG260234-T1-AZ

NESG260234-T1-AZ

Teilbestand: 7195

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9.2V, Leistung max: 1.9W,

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NE46234-T1-SE-AZ

NE46234-T1-SE-AZ

Teilbestand: 7195

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 1.8W,

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NE85633-R25-A

NE85633-R25-A

Teilbestand: 7175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

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CMPT918 TR

CMPT918 TR

Teilbestand: 135732

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 350mW,

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PN3563

PN3563

Teilbestand: 162770

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V,

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DSC5G0200L

DSC5G0200L

Teilbestand: 181235

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 150mW,

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MMBTH10-7-F

MMBTH10-7-F

Teilbestand: 129901

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 300mW,

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MMBTH10-4LT1

MMBTH10-4LT1

Teilbestand: 4810

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 225mW,

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MCH4016-TL-H

MCH4016-TL-H

Teilbestand: 146016

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 350mW,

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NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G

Teilbestand: 9938

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 450mW,

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PH3134-9L

PH3134-9L

Teilbestand: 7245

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 9W,

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MAPRST0912-350

MAPRST0912-350

Teilbestand: 249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.215GHz, Dazugewinnen: 9.4dB, Leistung max: 350W,

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PH3134-11S

PH3134-11S

Teilbestand: 4779

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 11W,

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LPT16ED

LPT16ED

Teilbestand: 3181

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Dazugewinnen: 5.2dB, Leistung max: 250mW,

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